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三星将斥资170亿美元在美兴建半导体厂

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-12-06  来源:21ic 电子网  浏览次数:64
     《日本经济新闻》网站近日报道称,近期,韩国三星电子公司宣布将在美国得克萨斯州建设“最先进的半导体工厂”。该公司将投入170亿美元,力争2024年下半年投产。三星将努力追赶在半导体代工领域处于领先地位的台积电(TSMC)公司。

    早在今年5月,三星就宣布在美国新建先进半导体工厂,一直在选择建设地点。考虑到美国联邦政府承诺给予的补贴和地方政府的基础设施条件等,最终选择了得克萨斯州泰勒市。选择该市的一大好处是能够从约30公里外的奥斯汀派遣技术人员。
 
    新工厂定于2022年上半年开工建设。三星表示“新工厂将采用先进工序”,有分析认为将生产线宽3纳米的新一代半导体。三星目前批量生产的最先进半导体为5纳米,计划2022年在韩国工厂启动3纳米半导体的生产,预计新工厂也将生产相同性能的半导体。
 
    这将是继2017年韩国平泽工厂投产以来,三星兴建的第6家半导体“前工序工厂”。随着新工厂投入运行,将形成韩国3家、美国2家、中国1家的生产布局。
 
    美国拥有高通、赛灵思等诸多无厂半导体企业。谷歌和亚马逊等IT巨头也开始自主设计半导体,有望成为潜在的客户。三星将在拥有众多客户的美国推进建设最先进工厂。
 
    三星公司副会长李在镕最近访问美国,与美国政府相关人士举行了会谈,就补贴问题进行了磋商。美国政府计划向半导体行业提供总计520亿美元的补贴。据称三星是在确认了补贴发放条件等基础上,决定建设新工厂。
 
    台积电也接受了美国的要求,正在亚利桑那州推进半导体工厂的建设。不过,美国英特尔对于向外国企业发放补贴持反对态度,三星能否按原计划获得补贴仍存在不确定性。
 
关键词: 半导体
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