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华微电子:IGBT产品已应用到新能源汽车

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-07-24  来源:变频器世界  浏览次数:42
     近日,华微电子在投资者互动平台表示,公司的IGBT主要用在工业控制、白色家电、小家电和汽车(含新能源汽车)上,并在全力开发新一代TrenchFSIGBT产品和逆导型IGBT产品平台。华微电子同时透露,于2017年开始建设的8英寸产线已经通线。
    公开资料显示,华微电子主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。华微电子坚持生产、研发、储备相结合的技术开发战略,不断向功率半导体器件的中高端技术及应用领域拓展。借助自身产品设计、工艺设计等综合技术优势,目前华微电子已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系,正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变;同时积极向新能源汽车、变频家电、工业和光伏新兴领域快速拓展,并已取得良好效果,为后续发展奠定了坚实基础。
    目前中国已成为全球最大的功率半导体器件市场,伴随着国内功率器件行业技术水平的不断提升,以及新能源汽车行业的发展、高端制造的崛起,国家军民融合战略的实施与深化,使功率半导体的“中国制造”在中高端市场及国家安全领域的拓展速度在不断加快,中国的功率半导体企业迎来了难得的发展机遇。
    近年来,华微电子通过积极引进先进技术与标准,广泛开展产学研等技术交流与合作,建立技术研发与技术标准相结合的管理机制,注重先进技术的运用、消化和吸收,并逐步在FRD、IGBT、SBDVD-MOS等产品开发中推广运用,公司的技术实力也得到显著提高。其中,1350VTrenchIG-BT项目成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题。TrenchIG-BT工艺平台的开发成功,让华微电子在功率器件研制开发方面的表现更为全面。
    此外,在新能源汽车双面散热模块,华微电子实现功率模块双面散热超薄结构,缩小模块体积,提高模块功率密度和效率,降低功率损耗,适应未来电控系统轻量化要求,产品技术将达到同等国际标杆水平。同时,公司开发高压3300V~4500V的IGBT和FRD产品,实现超高压大功率器件的国产化。
    此前,华微电子将2021年看作是其发展变革关键的一年,按计划继续深耕工控、白电、光伏、汽车电子行业,推进产品技术变革,提升核心技术研发能力;实现重点产品技术突破,完善产品结构。为此,华微电子制定了如下今年重点推动的产品技术平台项目:
    1、超结MOSFET:完成8寸超级MOSFET平台建设及系列化,拓展公司在电源领域的产品市场份额。
    2、IGBT:拓展白色家电、工业变频、UPS和新能源领域IGBT产品的份额;开发新一代TrenchFSIGBT产品和逆导型IGBT产品平台;丰富PM和IPM模块产品,并积极推进在工业和家电内的市场应用。
    3、CCTMOS:建立80V、100V、150VCCTMOS的8寸工艺平台,进一步降低产品导通电阻,拓展电源领域和电池保护(BMS领域)的应用。
    4、超高压FRD:建立3300V、4500V超高反压快恢复二极管,推动超高压FRD模块的市场推广,为我司FRD和IGBT产品进入轨道交通、电网等领域奠定基础。
    5、可控硅产品:进行平面可控硅产品的系列化及在白色家电和漏电保护领域的产品推广。
    6、TVS和齐纳二极管:开发TVS和齐纳二极管类产品工艺平台,提升公司产品配套能力。
    7、第三代半导体:开发SiCSBD产品和650VGaN器件,实现在工业电源和快充领域的应用。
 
关键词: 半导体
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