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台积电工艺漂移:CPU可集成192GB内存

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-10-29  来源:与非网  浏览次数:67
     在半导体工艺这件事情上,台积电真是越做越精,越做越强大,几乎拉开了什么都想玩一玩的英特尔。据媒体报道,作为全球一号代工厂,台积电已经开始大规模量产第六代CoWoS晶圆级芯片封装技术,集成度大大提高。
    我们知道,如今的高端半导体芯片越来越复杂,传统的封装技术已经无法满足,Intel、台积电、三星等纷纷研发了各种2.5D、3D封装技术,将不同IP模块以不同方式,整合封装在一颗芯片内,从而减低制造难度和成本。
    CoWoS的全称为Chip-on-Wafer-on-Substrate,是一种将芯片、基底都封装在一起的技术,并且是在晶圆层级上进行,目前只有台积电掌握,技术细节属于商业机密。
    它属于2.5D封装技术,常用于HBM高带宽内存的整合封装,比如AMDRadeonVII游戏卡、NVIDIAV100计算卡都属于此类。
    CoWoS封装结构简图
    RadeonVII集成封装了四颗HBM
    台积电当然也不会披露第六代CoWoS的细节,只是说可以在单个封装内,集成多达12颗HBM内存。
    最新的HBM2E已经可以做到单颗容量16GB,12颗封装在一起那就是海量的192GB!
 
关键词: 芯片
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