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国内厂商发力存储芯片 行业发展将迎来拐点

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-02-23  来源:互联网  浏览次数:149
        近期,长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND Flash存储器研发项目取得新进展,向产业化道路迈出关键一步。业内人士表示,国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作,并取得了阶段性进展。政策支持之下,随着技术等逐渐成熟,行业发展将迎来拐点。在此背景下,上市公司纷纷发力拓展存储芯片业务。

基本依赖进口

存储芯片作为集成电路的三大品类之一,目前广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域,其销售额占整个芯片产业的比重超过25%,反映了一个国家或地区的半导体发展水平。

赛迪顾问数据显示,2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5亿元,占国内集成电路市场份额的23.7%。但存储芯片基本依靠进口,每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。无论是NAND Flash还是DRAM,国产存储芯片市场比例较小。

赛迪智库集成电路研究所所长霍雨涛表示,国内存储芯片已经取得了一些进展,但总体看仍处于起步阶段。无论是DRAM还是NAND Flash等领域,核心技术、专利等仍主要掌握在三星、东芝、SK海力士、美光、SanDisk、Intel等海外厂商手中。

霍雨涛认为,国产存储芯片要想取得更大的进展,需要合理规划和统筹布局,做好长期持续大投入的准备;要聚焦核心技术和人才,立足自主研发,完善产业生态;要抓住计算和存储产业深度融合带来的机遇。

上市公司发力

面对国产存储芯片的现状,不少公司开始发力。

以兆易创新为例,公司拟以发行股份及支付现金的方式收购北京矽成100%股权。北京矽成100%股权的交易价格暂定为65亿元。公司表示,上市公司与标的公司均主要从事集成电路存储芯片及其衍生产品的研发、技术支持和销售,交易完成后可以形成良好的规模效应。本次交易将为上市公司引进存储芯片研发设计领域的优秀研发人员以及国际化管理团队,为上市公司国际化纵深发展注入动力。

长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND Flash存储器研发项目取得新进展,32层3D NAND Flash芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求,实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出关键一步。

紫光集团宣布投资约2063亿元在南京建设半导体产业基地,一期建成后,将是中国规模最大的芯片制造工厂,月产量将达10万片。

据悉,紫光南京半导体产业基地已于近日开工建设,主要产品为3D NAND Flash、DRAM存储芯片等,占地面积约1500亩。项目一期投资约687.67亿元。

霍雨涛表示,国产存储芯片发展面临巨大的机遇与挑战。国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作,并取得了阶段性进展。随着资金、政策、人员等各种条件的成熟,行业发展拐点已经来临。

 
关键词: 存储芯片
 
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